28nm
因?yàn)樾詢r(jià)比進(jìn)步一直以來(lái)都被視為摩爾定律的中心意義,所以20nm以下制程的本錢(qián)上升問(wèn)題一度被認(rèn)為是摩爾定律開(kāi)端失效的標(biāo)志,而28nm作為最具性價(jià)比的制程工藝,具有很長(zhǎng)的生命周期。
在規(guī)劃本錢(qián)不斷上升的情況下,只要少數(shù)客戶能負(fù)擔(dān)得起轉(zhuǎn)向高檔節(jié)點(diǎn)的費(fèi)用。據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì),16nm /14nm芯片的均勻IC規(guī)劃本錢(qián)約為8000萬(wàn)美元,而28nm體硅制程器材約為3000萬(wàn)美元,規(guī)劃7nm芯片則需求2.71億美元。IBS的數(shù)據(jù)顯示:28nm體硅器材的規(guī)劃本錢(qián)大致在5130萬(wàn)美元左右,而7nm芯片需求2.98億美元。關(guān)于大都客戶而言,轉(zhuǎn)向16nm/14nm的FinFET制程太昂貴了。
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就單位芯片本錢(qián)而言,28nm優(yōu)勢(shì)顯著,將堅(jiān)持較長(zhǎng)生命周期。一方面,相較于40nm及更早期制程,28nm工藝在頻率調(diào)節(jié)、功耗操控、散熱管理和尺度緊縮方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。另一方面,因?yàn)?6nm/14nm及更先進(jìn)制程采用FinFET技能,維持高參數(shù)良率以及低缺點(diǎn)密度難度加大,每個(gè)邏輯閘的本錢(qián)都要高于28nm制程的。
28nm處于32nm和22nm之間,業(yè)界在更早的45nm階段引入了high-k值絕緣層/金屬柵極(HKMG)工藝,在32nm處引入了第二代 high-k 絕緣層/金屬柵工藝,這些為28nm的逐漸成熟打下了根底。而在之后的先進(jìn)工藝方面,從22nm開(kāi)端采用FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等。可見(jiàn),28nm正好處于制程過(guò)渡的關(guān)鍵點(diǎn)上,這也是其性價(jià)比高的一個(gè)重要原因。
現(xiàn)在,行業(yè)內(nèi)的28nm制程首要在臺(tái)積電,GF(格芯),聯(lián)電,三星和中芯世界這5家之間競(jìng)賽,別的,2018年底宣告量產(chǎn)聯(lián)發(fā)科28nm芯片的華虹旗下的華力微電子也開(kāi)端參加競(jìng)賽隊(duì)伍。
雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm~16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電營(yíng)收的重要組成部分,特別是在中國(guó)大陸建設(shè)的代工廠,便是以16nm為主。中芯世界則在持續(xù)進(jìn)步28nm良率。
14/16nm
14nm制程首要用于中高端AP/SoC、GPU、礦機(jī)ASIC、FPGA、汽車(chē)半導(dǎo)體等制造。關(guān)于各廠商而言,該制程也是收入的首要來(lái)歷,特別是英特爾,14nm是其現(xiàn)在的首要制程工藝,以該公司的體量而言,其帶來(lái)的收入可想而知。而關(guān)于中國(guó)大陸本土的晶圓代工廠來(lái)說(shuō),特別是中芯世界和華虹,正在開(kāi)發(fā)14nm制程技能,距離量產(chǎn)時(shí)刻也不遠(yuǎn)了。
現(xiàn)在來(lái)看,具有或行將具有14nm制程產(chǎn)能的廠商首要有7家,分別是:英特爾、臺(tái)積電、三星、格芯、聯(lián)電、中芯世界和華虹。
同為14nm制程,因?yàn)橛⑻貭枃?yán)格追求摩爾定律,因此其制程的水平和謹(jǐn)慎度是最高的,就現(xiàn)在已發(fā)布的技能來(lái)看,英特爾持續(xù)更新的14nm制程與臺(tái)積電的10nm大致同級(jí)。
本年5月,英特爾稱(chēng)將于第3季度添加14nm制程產(chǎn)能,以解決CPU市場(chǎng)的缺貨問(wèn)題。
但是,英特爾公司自己的14nm產(chǎn)能現(xiàn)已滿載,因此,該公司投入15億美元,用于擴(kuò)大14nm產(chǎn)能,預(yù)計(jì)可在本年第3季度添加產(chǎn)出。其14nm制程芯片首要在美國(guó)亞利桑那州及俄勒岡的D1X晶圓廠出產(chǎn),海外14nm晶圓廠是位于愛(ài)爾蘭的Fab 24,現(xiàn)在還在升級(jí)14nm工藝。
三星方面,該公司于2015年宣告正式量產(chǎn)14nm FinFET制程,先后為蘋(píng)果和高通代工過(guò)高端手機(jī)處理器。現(xiàn)在來(lái)看,其14nm產(chǎn)能市場(chǎng)占有率僅次于英特爾和臺(tái)積電。
臺(tái)積電于2015下半年量產(chǎn)16nm FinFET制程。與三星和英特爾相比,雖然它們的節(jié)點(diǎn)命名有所不同,三星和英特爾是14nm,臺(tái)積電是16nm,但在實(shí)踐制程工藝水平上處于同一代代。
2018年8月,格芯宣告拋棄7nm LP制程研制,將更多資源投入到12nm和14nm制程。
格芯擬定了兩條工藝路線圖:一是FinFET,這方面,該公司有14LPP和新的12LPP(14LPP到7LP的過(guò)渡版別);二是FD-SOI,格芯現(xiàn)在在產(chǎn)的是22FDX,當(dāng)客戶需求時(shí),還會(huì)發(fā)布12FDX。
聯(lián)電方面,其14nm制程占比只要3%左右,并不是其主力產(chǎn)線。這與該公司的開(kāi)展戰(zhàn)略直接相關(guān),聯(lián)電重點(diǎn)開(kāi)展特別工藝,無(wú)論是8吋廠,仍是12吋廠,該公司會(huì)聚焦在各種新的特別工藝開(kāi)展上。
中芯世界方面,其14nm FinFET已進(jìn)入客戶實(shí)驗(yàn)階段,2019年第二季在上海工廠投入新設(shè)備,規(guī)劃下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段,未來(lái),其首個(gè)14nm制程客戶很可能是手機(jī)芯片廠商。據(jù)悉,2019年,中芯世界的本錢(qián)支出由2018年的18億美元進(jìn)步到了22億美元。
華力微電子方面,在年頭的SEMICON China 2019先進(jìn)制造論壇上,該公司研制副總裁邵華發(fā)表演講時(shí)表示,華力微電子本年年底將量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2020年底將量產(chǎn)14nm FinFET工藝。
12nm
從現(xiàn)在的晶圓代工市場(chǎng)來(lái)看,具備12nm制程技能能力的廠商很少,首要有臺(tái)積電、格芯、三星和聯(lián)電。聯(lián)電于2018年宣告中止12nm及更先進(jìn)制程工藝的研制。因此,現(xiàn)在來(lái)看,全球晶圓代工市場(chǎng),12nm的首要玩家便是臺(tái)積電、格芯和三星這三家。
臺(tái)積電的16nm制程閱歷了16nm FinFET、16FF+和16FFC三代,之后進(jìn)入了第四代16nm制程技能,此刻,臺(tái)積電改動(dòng)戰(zhàn)略,推出了改版制程,也便是12nm技能,用以招引更多客戶訂單,然后進(jìn)步12吋晶圓廠的產(chǎn)能利用率。因此,臺(tái)積電的12nm制程便是其第四代16nm技能。
格芯于2018年宣告退出10nm及更先進(jìn)制程的研制,這樣,該公司的最早進(jìn)制程便是12nm了。該公司是分兩條腿走路的,即FinFET和FD-SOI,這也充沛體現(xiàn)在了12nm制程上,在FinFET方面,該公司有12LP技能,而在FD-SOI方面,有12FDX。12LP首要針對(duì)人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)根底設(shè)施等應(yīng)用,利用了格芯在紐約薩拉托加縣Fab 8的專(zhuān)業(yè)技能,該工廠自2016年頭以來(lái),一直在大規(guī)模量產(chǎn)格芯的14nm FinFET產(chǎn)品。
因?yàn)樵S多連接設(shè)備既需求高度集成,又要求具有更靈活的功能和功耗,而這是FinFET難以完結(jié)的,12FDX則供給了一種替代途徑,可以完結(jié)比FinFET產(chǎn)品功耗更低、本錢(qián)更低、射頻集成更優(yōu)。
三星方面,其晶圓代工路線圖中原本是沒(méi)有12nm工藝的,只要11nm LPP。不過(guò),三星的11 LPP和格芯的12nm LP其實(shí)是“師出同門(mén)”,都是對(duì)三星14nm改良的產(chǎn)物,晶體管密度改變不大,效能則有所添加。因此,格芯的12nm LP與三星的12nm制程有非常多的共同之處,這可能也是AMD找三星代工12nm產(chǎn)品的原因之一。
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